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Soutenance de Thèse de SELMA RABHI

juin 12 @ 08:30 - 12:00

 

Titre : Réaction à l’état solide entre un film de Nickel et un substrat de type III-V

Jury : 

Mr. Mohamed RETIMA Prof. ENSMM-Annaba, Algérie Président
Mr. Djamel Eddine MEKKI Prof. Université Badji Mokhtar-Annaba, Algérie Rapporteur
Mme. Nadjeh MLIKI THABET Prof. Université El Manar-Tunis, Tunisie Rapporteur
Mr. Ahmed CHARAÎ Prof. Aix Marseille Université, France Examinateur
Mme. Loubna CHETIBI MCA. ENP-Constantine, Algérie Examinateur
Mr. Mohamed-Chérif BENOUDIA MCA. ENSMM-Annaba, Algérie Directeur de these
Mr. Khalid HOUMMADA MC HDR. Aix Marseille Université, France Directeur de these
Mme. Carine PERRIN-PELLEGRINO MC. Aix Marseille Université, France Encadrante

MOTS CLÉS : semi-conducteur III-V,diffusion réactive,métallisation,films minces,DRX,

Résumé de la thèse : L’objectif de cette thèse est d’étudier les phases formées lors de la réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat semi-conducteur de type III-V, par diffusion réactive. A terme, il s’agit de comprendre et prédire les phénomènes mis en jeu dans le contact Ni/In0.53Ga0.47As. En effet, ce dernier présente un intérêt technologique pour la nanoélectronique qui peut se substituer au Si. Pour cela, nous avons étudié la nature et la séquence des phases formées pour les deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs. Les résultats obtenus montrent que la couche de Ni déposée par pulvérisation cathodique est en épitaxie avec le substrat GaAs pour de faibles épaisseurs déposées ce qui diffère des plus grandes épaisseurs. Les phases Ni3GaAs et Ni3InAs sont les premières phases formées en épitaxie pour ces deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs, et ont la même structure hexagonale. Par contre la texture de la phase de Ni3GaAs est différente de la phase Ni3InAs. Alors qu’à haute températures nous observons pour les deux systèmes la présence des nouvelles phases de structure hexagonale et cubique. Nous avons pu aussi observer dans ce travail que la cinétique de formation de es phase Ni3GaAs et Ni3InAs. La cinétique de formation de la phase Ni3InAs est plus lente que celle de la phase Ni3GaAs en film mince.

KEYWORDS : semi-conductors III-V,Reactive diffusion,Metallization,Thin films,XRD,

Thesis resume : The aim of this thesis is to study the phases formed during the solid-state reaction between a Ni film and III-V semi-conductor substrate, by diffusion-reactive to understand and predict the put-in phenomena usual in contact Ni / In0.53Ga0.47, because this last has a technological interest for nanoelectronics and can be a candidate to replace Si. For this, we studied the nature and sequence of phases formed for the two systems Ni / GaAs and Ni / InAs. The results obtained show that the sputtered Ni layer is epitaxially grown with the GaAs substrate for small-deposited thicknesses, which differs from the larger thicknesses. The Ni3GaAs and Ni3InAs phases are the first phases formed in epitaxy for these two Ni / GaAs and Ni / InAs systems, and have the same hexagonal structure. On the other hand, the texture of the Ni3GaAs phase is different from the Ni3InAs phase. While at high temperatures, we observe for both systems the presence of new phases of hexagonal and cubic structure. We have also observed in this work that the formation kinetics of this phases. The formation kinetics of the Ni3InAs phase is slower than that of the thin film Ni3GaAs phase.

 

 

 

Détails

Date :
juin 12
Heure :
08:30 - 12:00
Étiquettes Évènement :
, , ,
Site Web :
https://ecole-doctorale-352.univ-amu.fr/fr/soutenance/566

Lieu

Ecole Nationale Supérieure des Mines et de la Métallurgie Amar Laskri Annaba
Ex CEFOS Chaiba BP 233 RP, W129, Sidi Amar
Annaba, 23000 Algérie
Site Web :
www.ensmm-annaba.dz